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NTD4302
TYPICAL CHARACTERISTICS
6000
12.5
30
5000
V DS = 0 V
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
V D
Q T
25
4000
7.5
20
3000
2000
C rss
C iss
5
Q 1
Q 2
V GS
15
1000
0
10
C rss
V GS 0 V DS
10
C oss
20
30
2.5
0
0
10
20
30
40
I D = 2 A
T J = 25 ° C
50
10
0
60
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
V DD = 24 V
I D = 18.5 A
V GS = 10 V
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
15
100
t f
t d(off)
t r
10
5
10
1
t d(on)
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
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